Metode paling sederhana untuk memproduksi silikon karbida melibatkan peleburan pasir silika dan karbon, seperti batubara, pada suhu tinggi - hingga 2.500 derajat Celcius. Versi yang lebih gelap dan lebih umum dari silikon karbida sering mengandung pengotor besi dan karbon, tetapi kristal sic murni tidak berwarna dan terbentuk ketika silikon karbida disublimasikan pada 2.700 derajat Celcius. Setelah pemanasan, kristal -kristal ini diendapkan pada grafit pada suhu yang lebih rendah dalam proses yang dikenal sebagai metode Lely.
Metode lely: Dalam proses ini, wadah granit dipanaskan hingga suhu yang sangat tinggi, biasanya dengan induksi, untuk menyublim bubuk silikon karbida. Batang grafit suhu yang lebih rendah adalah dalam campuran gas, memungkinkan silikon karbida murni untuk mengendap dan membentuk kristal.
Deposisi Uap Kimia: Atau, produsen menumbuhkan SIC kubik menggunakan deposisi uap kimia, yang umumnya digunakan dalam proses sintesis berbasis karbon dan digunakan dalam industri semikonduktor. Dalam metode ini, campuran kimia gas khusus dimasukkan ke dalam lingkungan vakum dan dikombinasikan sebelum disimpan pada substrat.
Kedua metode memproduksi wafer silikon karbida membutuhkan banyak energi, peralatan, dan pengetahuan untuk berhasil.
