Metode peleburan silikon karbida, bahan baku yang digunakan untuk mensintesis silikon karbida terutama gangue dengan SiO2 sebagai komponen utamanya. Silikon karbida tingkat rendah dapat menggunakan antrasit abu rendah sebagai bahan bakunya. Bahan baku penolongnya adalah serbuk gergaji dan garam. Silikon karbida tersedia dalam warna hitam dan hijau.

Pada saat peleburan silikon karbida hijau, kandungan SiO2 dalam bahan baku silikon harus setinggi mungkin dan kandungan pengotornya serendah mungkin. Saat memproduksi silikon karbida hitam, kandungan SiO2 dalam bahan baku mengandung silika bisa sedikit lebih rendah. Persyaratan untuk kokas minyak bumi adalah kandungan karbon tetap harus setinggi mungkin, kadar abu kurang dari 1,2%, dan bahan mudah menguap kurang dari 12.0%. Ukuran partikel kokas minyak bumi biasanya di bawah 2 mm atau 1,5 mm. Serpihan kayu digunakan untuk mengatur permeabilitas udara muatan, dan jumlah penambahan biasanya adalah 3%-5% (volume). Garam meja hanya digunakan saat peleburan silikon karbida hijau.

Bahan mentah silikon dan kokas minyak bumi menghasilkan silikon karbida melalui reaksi berikut dalam tungku resistansi pada suhu 2000-2500 derajat : SiO2+3C→SiC+2CO↑-526.09Kj CO adalah dibuang melalui muatan tungku. Menambahkan garam dapat bereaksi dengan Fe, Al dan pengotor lainnya membentuk klorida dan menguapkannya. Serpihan kayu membuat material membentuk badan sinter berpori, sehingga memudahkan keluarnya gas CO.

Ciri pembentukan silikon karbida adalah tidak melewati fasa cair. Prosesnya sebagai berikut: mulai sekitar 1700 derajat, bahan baku silikon berubah dari pasir menjadi leleh lalu menjadi uap (asap putih); SiO2 meleleh dan uap mengalir ke dalam bahan berkarbon. Pori-pori menembus ke dalam partikel karbon, dan terjadi reaksi untuk menghasilkan Sic; ketika suhu naik hingga 1700~1900 derajat, b-SiC dihasilkan; ketika suhu naik lebih lanjut hingga 1900-2000 derajat, b-SiC halus berubah menjadi a-SiC, butiran a-SiC secara bertahap tumbuh dan menjadi padat; suhu tungku naik menjadi sekitar 2500 derajat, dan SiC mulai terurai menjadi uap silikon dan grafit.




